力晶集團 5346(TW) 旗下力旺電子 3529(TW) 昨日(26)日宣佈，0.13微米先進嵌入式可程式非揮發性記憶 體技術在台積電進入量產，成功將邏輯製程及高壓製程 的嵌入式非揮發性記憶體技術，推進到更先進製程領域 。力旺電子表示，已推廣至LCD驅動晶片客戶進入量產。
力旺電子表示，經由客戶的優先採用，歐洲、美國 、台灣、大陸等地區，均有客戶穩定量產，產品線涵蓋 小面板顯示器驅動晶片 (Small-panel LCD Driver IC) 、數位電視 (Digital TV)、視訊轉換器 (Set-Top Box)、導航系統 (GPS)、影像控制晶片 (PC Camera Controller)等消費性電子產品。
力旺說明，0.13微米先進製程量產的晶圓顆粒，可 達0.18微米製程產量的1.5倍至2倍，目前小面板顯示器 驅動晶片生產，仍多採用0.18或0.16微米製程；基於產 業技術之發展與市場需求之考量，晶圓代工廠近兩年已 積極進行0.13um微米高壓製程之開發。針對市場對先進 製程之需求，力旺在台積電完成0.13微米先進嵌入式可 程式非揮發性記憶體技術之導入與量產。
力旺表示，先前台積電發表之0.13微米高壓製程所 使用之新穎Fuse OTP，即為力旺之OTP。力旺0.13微米 OTP已於台積電0.13微米1.5伏特/6伏特/32伏特高壓製 程平台成功完成建構，可提供高效能小面板顯示器驅動 晶片量產應用，有效精進成本效益與生產效能，並大幅 提昇客戶產品之競爭力。0.13微米Neobit先進製程技術 於高效能小面板顯示器驅動晶片之應用效益相當顯著， 導入量產迄今即已超過千片以上晶片順利出貨。
力旺說明，Neobit嵌入式非揮發性記憶體技術與其 新穎的Neobit Fuse線路設計，取代傳統熔線 (fuse) 元件，不修改製程條件，不需重複驗證，有效提供客戶 單次寫入或多次寫入抹除之參數設定功能，能夠於最終 產品模組封裝階段，彈性調整顯示器驅動晶片色彩參數 、及提升動態畫面之清晰度。
隨著CMOS製程技術的演進，元件誤差容許度縮小， 傳統嵌入非揮發性記憶體元件製程所衍生的製程參數變 動與外加光罩製程，難以嵌入於先進CMOS製程中，而力 旺之Neobit技術即使在0.13微米先進製程，仍完全相容 於CMOS製程，其所展現的優異特性，包括穩定的產品良 率、高度的可靠性、製程的便利性等，是客戶能夠成功 利用此先進技術快速進入量產的關鍵因素。
力旺表示，繼0.13微米先進嵌入式可程式非揮發性 記憶體技術進入量產，將持續開發先進製程解決方案， 目前90奈米邏輯製程之嵌入式非揮發性記憶體技術已於 二大國際級晶圓代工廠完成功能驗證，正積極規劃導入 量產，預計將可應用於高速邏輯產品。
●11/27--摘錄電子 3 版
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